PPLN晶體-SHG倍頻
產品特點：
1. 摻5mol%MgO鈮酸鋰晶體。
2. 具有高光損傷閾值和非線性係數。
3. 具有更高效的轉換效率。
PPLN原理：
鈮酸鋰（Lithium Niobate）是一種鐵電晶體，具有單疇結構。PPLN（Periodically-Poled Lithium Niobate）晶體是利用准相位匹配（QPM）技術，通過極化工藝人為製造出週期性疇結構。極化週期間隔的大小取決于具體應用，從幾微米到几十微米不等。
我公司自主研發生產的PPLN晶體具有非常高的性能品質，已被國內外多家大學和科研機構使用。PPLN的製造過程，首先是採用光刻技術在鈮酸鋰晶體單疇基片表面制作出設定結構的電極（在鈮酸鋰晶體正疇面和負疇面上刻蝕出與掩模版完全對應的A1電極），之後在準確控制的極化條件下對晶體施加電場（使用高電壓可以使高介電材料的光學特性持久地發生改變），實現極化反轉。極化后的晶體切割成所需的尺寸，然後進行拋光和鍍膜處理。PPLN的製造工藝 ，非常適合於工業化大規模生產。
鈮酸鋰晶體正疇面與負疇面上刻蝕出與掩模版完全對應的A1電極
我公司生產的PPLN晶體長度可達70mm，有效提高了轉換效率。
普通SHG倍頻應用（1064nm倍頻產生532nm），晶體週期：6.97um。（腔內倍頻僅需0.5-2mm晶體長度即可實現高達數瓦的激光輸出。）
針對OPO應用，我們可以提供多種極化週期的PPLN晶體，尺寸可以按照用戶要求設計生產。（公司庫存有多片晶體，可以快速供貨。）
產品參數：（OPO應用）
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Transparency Range
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360-5000nm
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Chip Thickness
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1-2mm
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Chip Width
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2-10mm
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Chip Length
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10-70mm
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Grating Periods
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6.95, 29.0, 29.5, 30.0, 30.5, 31.0, 31.5, 32.0um
（Other periods available upon request）
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End surfaces
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Optically polished and AR coated, on both input/output facets
AR@1030-1064nm&1450-1650nm&3000-4000nm
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Damage Threshold (typical)
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600MW/cm2 (1064nm,9ns,10Hz)
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Dimensions（W*T*L）
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5*1*60mm,
5*1*50mm,
5*1*40mm,
5*2*40mm,
5*2*50mm,
5*2*60mm (Other dimensions available upon request）
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Pump
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1064nm
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PPLN與LBO、KTP相比，具有非線性係數高，體積小、製造週期短、易大批量製造等優點，腔內倍頻僅需0.5-2mm即可實現非常高的轉換效率。我公司的PPLN晶體已被國內外多家大學和科研機構以及公司所使用。如對PPLN晶體有任何問題請隨時與我們的晶體工程師聯繫。
