PH1064DBR
1064nm系列
高功率、单频输出激光二极管
核心技术：
（1）DBR单频激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点：
（1）高功率，单频输出；（2）激光线宽8MHz；（3）多种封装形式；（4）无跳模调谐范围宽；（5）使用寿命长；（6）可提供纳秒或皮秒(<100ps)脉冲输出。
1064nm单频激光二极管是基于Photodigm公司 的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，应用范围包括：光谱学、差频振荡、光纤放大器种子源、倍频应用、替代低功率固体激光器等。
DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数：
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储存温度
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0-80℃
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工作温度
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5.0-70℃
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正向电流（连续模式输出）
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40-550mA(Typ)
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正向电流（脉冲模式输出），T=25℃
脉冲宽度：300ns
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3.0A
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激光反向电压
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2.0V
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光电二极管正向电流 1/2/
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5.0mA
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光电二极管反向电压 1/2/
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20.0V
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光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/
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50nA
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TEC电流 1/2/
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-2.5—2.5A
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TEC电压 1/2/
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-6.0—6.0V
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热敏电阻电流 1/2/
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1.0mA
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热敏电阻电压 1/2/
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10V
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连续模式输出技术参数（T=25℃）
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中心波长
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1064nm(Typ.)
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输出功率
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40-300mW
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斜率效率（蝶形封装）
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0.36W/A
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斜率效率（TO-8封装）
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0.72W/A
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阈值电流
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30mA
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激光二极管电阻值
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2.0Ω
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正向电压
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2.0V
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热敏电阻阻值@25℃，1/2/
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10KΩ
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光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/
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50nA
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激光线宽
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1MHz
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温度调谐系数
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20GHz/℃
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电流调谐系数
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0.53GHz/mA
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偏振消光比，1/
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-19dB
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光束发散角@FWHM
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6x32°
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边模抑制比
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-30dB（Min）
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激光偏振
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TE
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模式结构
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基模
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1/蝶形封装 2/TO-8封装
注意事项：
此激光二极管是静电敏感器件，操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。
